一个三极管工作于饱和区时 ， 其饱和压降的具体大小与三极管的类型、三极管β的大小、三极管基极电流的大小及负载电流的大小都有关系 。一般锗三极管的饱和压降小于硅三极管（少部分硅管除外） 。对于同型号的三极管，若负载电流不变，管子的β越高、基极电流越大，则其饱和电压Uce越小 。
▲ 简单的三极管驱动电路 。
对于现在常用的硅三极管来说，大功率的三极管，其β普遍不高（达林顿管除外），这样在负载电流及基极电流相同的情况下，大功率三极管的饱和电压Uce反而不如某些中功率三极管的Uce小 。另外 ， 达林顿管内部是两个管子连接在一起的，其饱和压降Uce普遍在1～2V以上，并且负载电流越大 ， 其Uce越大 。
上图中的三极管VT为日本公司生产的高β三极管2SD1960，该管采用TO-92封装，Icm达5A，其β最高可达1000以上 。笔者以前做过实测，用该管驱动一个0.8A/12V的小灯泡，在管子的Ib为2.5mA、β为800时，其饱和压降Uce仅有90mV！常用的8050三极管，其Icm为1.5A，β最高不超过300 ， 若用来驱动上述小灯泡，即使Ib取5mA，其饱和压降也在0.6V以上 。有兴趣大家可以实测一下 ， 看看是不是这样？
▲ 2SD1960三极管的外形 。
三极管作为电子开关使用时，我们都希望管子的饱和压降越小越好，因为三极管处于饱和区时 ， 管耗就是饱和压降Uce与集电极电流Ic的乘积 。Uce越大，管子发热越严重 。
▲ 场效应管驱动电路 。
在驱动电机、灯泡等大功率负载时，若双极型三极管的饱和压降太大，不能胜任，这时可以考虑采用VMOSFET来驱动 。上图所示为N沟道MOS场效应管IRF540的驱动电路 。
▲TO-220封装的IRF540的外形 。
IRF540采用TO-220封装 ， 其耐压值为100V，ID为33A，PD为130W，导通电阻Rds为44mΩ 。
【晶体管的饱和工作区要uce小于0.7v，但是大功率晶体管饱和压降为什么达1v以上】
场效应管的导通电阻很重要 ， 在驱动负载时，负载电流与Rds的乘积即为管子的饱和压降，故我们希望Rds越小越好 。一般在耐压值相同的情况下，管子的ID越大，其Rds就越小 。同一个管子，加大栅源电压UGS，可以减小其饱和压降 。
